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厂商型号

SBCP68T1G 

产品描述

Trans GP BJT NPN 20V 1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

内部编号

277-SBCP68T1G

生产厂商

on semiconductor

onsemi

#1

数量:7000
最小起订金额:¥₩600
新加坡
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#2

数量:450
最小起订金额:¥₩600
新加坡
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#3

数量:10001
最小起订金额:¥1575
马来西亚吉隆坡
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SBCP68T1G产品详细规格

规格书 SBCP68T1G datasheet 规格书
SBCP68T1G datasheet 规格书
SBCP68T1G datasheet 规格书
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 1,000
包装 4SOT-223
类型 NPN
引脚数 4
最大集电极发射极电压 20 V
集电极最大直流电流 1 A
最小直流电流增益 50@5mA@10V|85@500mA@1V|60@1A@1V
最大工作频率 60(Typ) MHz
最大集电极发射极饱和电压 0.5@100mA@1A V
最大集电极基极电压 25 V
工作温度 -65 to 150 °C
最大功率耗散 1500 mW
安装 Surface Mount
标准包装 Tape & Reel
集电极最大直流电流 1
欧盟RoHS指令 Compliant
最高工作温度 150
标准包装名称 SOT-223
最低工作温度 -65
最大功率耗散 1500
最大基地发射极电压 5
Maximum Transition Frequency 60(Typ)
封装 Tape and Reel
每个芯片的元件数 1
最大集电极基极电压 25
供应商封装形式 SOT-223
筛选等级 Automotive
最大集电极发射极电压 20
铅形状 Gull-wing
电流 - 集电极( Ic)(最大) 1A
晶体管类型 NPN
安装类型 Surface Mount
频率 - 转换 60MHz
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 500mV @ 100mA, 1A
电流 - 集电极截止(最大) 10µA (ICBO)
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 20V
供应商设备封装 SOT-223
功率 - 最大 1.5W
封装/外壳 TO-261-4, TO-261AA
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 85 @ 500mA, 1V
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
其他名称 SBCP68T1GOSCT
发射极 - 基极电压VEBO 5 VDC
集电极 - 发射极饱和电压 0.5 VDC
晶体管极性 NPN
直流集电极/增益hfe最小值 85
直流电流增益hFE最大值 375
增益带宽产品fT 60 MHz
集电极 - 发射极最大电压VCEO 20 VDC
安装风格 SMD/SMT
集电极 - 基极电压VCBO 25 VDC
配置 Single
最高工作温度 + 150 C
RoHS RoHS Compliant
连续集电极电流 1 A
工厂包装数量 1000
系列 BCP68
Pd - Power Dissipation 1.5 W
品牌 ON Semiconductor

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